半導體 ALD/ALE應用深度除水凈化裝置

產品名稱: 半導體 ALD/ALE應用深度除水凈化裝置

產品型號: SiWOF-2000

產品特點: 半導體 ALD/ALE應用深度除水凈化裝置
日本 STLab SiWOF-2000 是一臺面向“7×24 小時連續運轉"而設計的無氧氣體（N?/Ar/He 等）深度除水凈化裝置。把入口 3-10 ppm H?O 的普氮/普氬一口氣降到**< 1 ppb**（露點 <-110 °C），并且能連續運行 2 000 h 以上才需再生，主要用于半導體、OLED、鈣鈦礦電池、核聚變實驗等對水分極度敏感的工藝

半導體 ALD/ALE應用深度除水凈化裝置 的詳細介紹

半導體 ALD/ALE應用深度除水凈化裝置

日本 STLab SiWOF-2000 是一臺面向“7×24 小時連續運轉"而設計的無氧氣體（N?/Ar/He 等）深度除水凈化裝置。把入口 3-10 ppm H?O 的普氮/普氬一口氣降到**< 1 ppb**（露點 <-110 °C），并且能連續運行 2 000 h 以上才需再生，主要用于半導體、OLED、鈣鈦礦電池、核聚變實驗等對水分極度敏感的工藝線。

? 核心賣點

長期免維護——連續除水 2 000 h（實際考核 2 500 h）后 H?O 出口才升到 10 ppb，停機再生一次只需 8 h
< 1 ppb 出口保證——新填料初始值 ≤ 0.5 ppb，客戶可任選 1 ppb 報警點
真正無氧——整個流路 316L EP + VCR 金屬密封，無橡膠管，O? 增量 < 0.1 ppb
雙塔 Hot-Swap——一塔工作一塔待機，切換過程出口水分波動 < 5 ppb
在線再生——無需拆罐，閉環抽真空 + 加熱吹掃，現場 8 h 完成
數據完整——內置 32 GB 記錄，Modbus/以太網實時輸出，滿足 SEMI S2 審計

?? 性能參數（SiWOF-2000 標準型）

表格

復制

項目	參數
處理氣體	N?、Ar、He、混合稀有氣體（無氧）
流量范圍	30-2 000 mL/min（1.8-120 L/h）
入口水分	≤ 10 ppm（露點 -60 °C）
出口水分	≤ 1 ppb（露點 <-110 °C）
出口氧分	增加 < 0.1 ppb（實測 0.03 ppb）
連續運轉	≥ 2 000 h（10 ppb 突破為再生信號）
再生耗時	8 h（200 °C 真空抽掃 + 高純 N? 冷卻）
吸附劑	Si-Al 復合分子篩 + 金屬催化劑
管路材質	316L EP，Ra ≤ 0.25 µm，VCR 金屬墊片
泄漏率	He ≤ 1×10?11 Pa·m3/s
壓力損失	0.05-0.15 MPa（與流量相關）
電源	AC 100-240 V 300 W（再生時 600 W）
尺寸/重量	430 × 450 × 220 mm（4U 機架）≈28 kg
通信	RS-485（Modbus RTU）+ 以太網（TCP/HTTP）
數據存儲	32 GB SD 卡，CSV 格式，≥ 5 年
報警	出口 H?O > 1 ppb、溫度異常、壓力異常繼電器輸出

?? 雙塔工作流程

A 塔工作——B 塔待機加熱抽空（前 6 h）→ 高純 N? 冷卻（后 2 h）
自動切換——當 A 塔出口 H?O = 10 ppb，PLC 0.1 s 切到 B 塔，出口波動 < 5 ppb
循環使用——單塔壽命 2 000 h，兩塔交替實現理論無限連續

?? 典型應用

半導體 ALD/ALE： gate 氧化物界面 H?O < 1 ppb，降低 VT 漂移
OLED 蒸鍍：防止有機層水解，提高發光效率 8 %
鈣鈦礦太陽能電池：涂布前 N? 凈化，效率重復性 ↑ 15 %
核聚變裝置：托卡馬克吹掃氣 Ar 深度除水，降低等離子體雜質
手套箱循環：與循環泵聯動，箱內 H?O 穩定 < 0.1 ppm

?? 可選型號

表格

復制

型號	流量范圍	出口水分	接口
SiWOF-500	5-500 mL/min	≤ 1 ppb	1/4" VCR
SiWOF-2000	30-2 000 mL/min	≤ 1 ppb	1/4" VCR
SiWOF-5000	0.2-5 L/min	≤ 3 ppb	3/8" VCR
SiWOF-Multi	雙通道獨立，可同時供兩臺設備

??? 維護與驗證

在線露點儀：內置 TDLAS 傳感器，0.1 ppb 分辨率，可外接第二方冷鏡儀比對
再生無需人工：PLC 自動抽真空→升溫→吹掃→冷卻，一鍵啟動
年度備件：僅需更換再生排氣過濾器（PTFE，0.1 µm），5 分鐘完成
審計文件：提供 SPC 趨勢、再生記錄、粒子增量報告，符合 SEMI F57 & Gaseous Standards

? 一句話總結

STLab SiWOF-2000 是“長期不斷電"的**< 1 ppb 除水站**：2 000 h 連續運行、8 h 在線再生、雙塔零波動，為半導體/OLED/核聚變等無氧超干工藝提供水分 < 1 ppb、氧增量 < 0.1 ppb的7×24 凈化氮/氬，是日本本土 7 nm 廠、EUV 實驗室的標準超干氣源后端。

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